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图片仅供参考,产品以实物为准

厂商型号

C4D08120E 

产品描述

Schottky Diodes & Rectifiers SIC SCHOTTKY DIODE 1200V, 7.5A

内部编号

84-C4D08120E

生产厂商

Cree, Inc.

#1

数量:671
最小起订量:1
香港
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#2

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C4D08120E产品详细规格

规格书 C4D08120E datasheet 规格书
C4D08120E
C4D08120E datasheet 规格书
C4D08120E datasheet 规格书
C4D08120E datasheet 规格书
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 75
二极管型 Silicon Carbide Schottky
电压 - 直流反向(VR)(最大值) 1200V (1.2kV)
电流 - 平均整流(Io) 12.1A
电压 - 正向(Vf)(最大)@ 3V @ 2A
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
反向恢复时间(trr) 0ns
电流 - 反向漏VR 250µA @ 1200V
电容@ Vr,F 560pF @ 0V, 1MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
供应商器件封装 TO-252-2
包装材料 Tube
安装 Surface Mount
峰值反向电流 250
峰值不重复浪涌电流 64
包装宽度 6.25(Max)
PCB 2
最大功率耗散 136000
类型 Schottky Diode
欧盟RoHS指令 Compliant
峰值正向电压 1.8@2A
峰值反向重复电压 1200
最低工作温度 -55
配置 Single
供应商封装形式 TO-252
标准包装名称 DPAK
最高工作温度 175
包装长度 7.34(Max)
工作结温度 -55 to 175
引脚数 3
最大连续正向电流 12
包装高度 2.39(Max)
标签 Tab
铅形状 Gull-wing
封装 Tube
电流 - Vr时反向漏电 250µA @ 1200V
安装类型 Surface Mount
电压 - 正向(Vf) (最大) 3V @ 2A
电压 - ( Vr)(最大) 1200V (1.2kV)
热阻 1.1°C/W Jc
电容@ Vr ,F 560pF @ 0V, 1MHz
供应商设备封装 TO-252-2
反向恢复时间(trr ) 0ns
工作温度 - 结 -55°C ~ 175°C
标准包装 75
电流 - 平均整流(Io ) 12.1A
封装/外壳 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
二极管类型 Silicon Carbide Schottky
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant
最大二极管电容 560 pF
正向电压下降 1.8 V
产品 Schottky Silicon Carbide Diodes
最大功率耗散 136 W
正向连续电流 7.5 A
最大反向漏泄电流 35 uA
峰值反向电压 1.2 kV
安装风格 SMD/SMT
最大浪涌电流 64 A
封装/外壳 TO-252-2
RoHS RoHS Compliant
二极管配置 :Single
Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max :1.2kV
Forward Current If(AV) :12.1A
Forward Voltage VF Max :1.8V
Forward Surge Current Ifsm Max :64A
Operating Temperature Min :-55°C
Operating Temperature Max :175°C
Diode Case Style :TO-252
No. of Pins :2
MSL :MSL 1 - Unlimited
工作温度范围 :-55°C to +175°C
Weight (kg) 0.00542
Tariff No. 85411000
associated D00837
3209885-M
CMF10120D

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